随后将纯化后的多晶硅被融化后放入一个坩埚(Quartz Crucible)中，再将籽晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉，则熔融的硅会沿着子晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的CZ法(Czochralski)，也叫单晶直拉法。单晶直拉法工艺中的旋转提拉决定了硅锭的圆柱型，从而决定晶圆是圆形的。
图3：熔融提拉过程
图4：这大家伙就是拉好的单晶硅了
图5：随后硅锭在经过金刚线切割变成硅片
图6：之后就有了你看到的晶圆了
顺便提一下晶圆的尺寸
硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。理论上来说硅晶圆尺寸越大越好，这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍，出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少。理论上来说，晶片(wafer)越做越大是为了--降低芯片的单位成本！但晶圆越大，对拉晶对速度与温度的要求越高，同时，晶片越大控制缺陷也越困难，因此做出高品质12寸晶圆的技术难度比8寸晶圆更高。
图7：晶圆尺寸发展
但其实晶圆也不是很圆！
大家仔细看图6，其实晶圆并不是很圆，它是有点小缺口的，那是因为制备流程中有个叫“Flat/Notch Grinning”步骤前面说明时被隐去了。
图8：晶片上的Flat&Notch
它在硅锭做出来后就要进行了。在200mm以下的硅锭上是切割一个平角，叫做Flat（平槽）。在200mm（含）以上硅锭上，为了减少浪费，只裁剪个圆形小口，叫做Notch（V槽）。在切片后晶圆就变成了这样：
图9：12寸硅片Notch（V槽）
图10：6寸硅片Flat（平槽）
这个步骤存在的意义：这样做可以帮助后续工序确定Wafer的摆放位置，为了定位，也标明了单晶生长的晶向。对后续的切割，及测试都比较方便。而且切割位置在边缘，大多也是本不能用的区域。
内容来源：粉体圈 作者：Alpha返回搜狐，查看更多